بررسی تجربی انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال اتیلن گلیکول/ fe3o4 در حضور میدان الکتریکی

در تحقیق حاضر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال اتیلن گلیکول/ fe3o4 روی سیم نازک افقی در حضور میدان الکتریکی به صورت تجربی مورد بررسی قرار گرفته است. تغییرات عدد ناسلت و ضریب انتقال حرارت جابجایی در غلظت های حجمی مختلف نانوسیال و شدت های متفاوت میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که ضریب انتقال حرارت نانوسیال بدون حضور میدان در غلظت های پایین نسبت به سیال پایه افزایش داشته و بیشترین مقدار مربوط به غلظت %02/0 است. اما در غلظت های بالاتر ضریب انتقال حرارت جابجایی نانوسیال کاهش یافته و در اعداد ریلی بالا، حتی از سیال پایه نیز کم تر می شود. همچنین روش الکتروهیدرودینامیک با مصرف انرژی بسیار کم قادر به افزایش ضریب انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال شده، به گونه ای که با اعمال میدان الکتریکی، ضریب انتقال حرارت نانوسیال در غلظت های مختلف نسبت به ضریب انتقال حرارت نانوسیال بدون حضور میدان بیش تر است. می توان برای استفاده از نانوسیال ها درحضور میدان الکتریکی برای کاربردهای انتقال حرارت جابجایی آزاد یک غلظت و شدت میدان بهینه تعیین کرد. با توجه به نتایج این مطالعه، مقدار بهینه غلظت حجمی و شدت میدان که بیشترین میزان ضریب انتقال حرارت را در پی دارد، غلظت % 02/0 و ولتاژkv 5/12 است